Framleiðandi Vöru númer:

2SK4150TZ-E

Product Overview

Framleiðandi:

Renesas

Völu númer:

2SK4150TZ-E-DG

Lýsing:

2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 250 V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92

Birgðir:

19000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12997799

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

2SK4150TZ-E Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Renesas Electronics Corporation

Pakkning

Bulk

Röð

-

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

250 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

400mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

5.7Ohm @ 200mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

3.7 nC @ 4 V

Vgs (hámark)

±10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

80 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

750mW (Ta)

Hitastig rekstrar

150°C

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-92

Pakki / hulstur

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Aukainformation

Venjulegur pakki

475

Önnur nöfn

2156-2SK4150TZ-E

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

REACH staða

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

DN2535N5-G

FRAMLEIÐANDI

Microchip Technology

Fjöldi í boði

199

HLUTARNÁMR

DN2535N5-G-DG

Einingaverð

1.19

VÖRUVAL

Similar

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

rohm-semi

RW4E045AJTCL1

NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0

diodes

2N7002E-7-F-79

DIODE

good-ark-semiconductor

GSFP0446

MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 40V,

good-ark-semiconductor

GSFN0345

MOSFET, P-CH, SINGLE, -45A, -30V