2SK3431-Z-E1-AZ
Framleiðandi Vöru númer:

2SK3431-Z-E1-AZ

Product Overview

Framleiðandi:

Renesas Electronics Corporation

Völu númer:

2SK3431-Z-E1-AZ-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 83A (Tc) 1.5W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

12853487
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

2SK3431-Z-E1-AZ Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6100 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.5W (Ta), 100W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
STB80N4F6AG
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
970
HLUTARNÁMR
STB80N4F6AG-DG
Einingaverð
0.74
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
PSMN8R0-40BS,118
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
800
HLUTARNÁMR
PSMN8R0-40BS,118-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
onsemi

MCH6342-TL-H

MOSFET P-CH 30V 4.5A 6MCPH

onsemi

MTP23P06VG

MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB

onsemi

MCH6444-TL-H

MOSFET N-CH 35V 2.5A 6MCPH

infineon-technologies

BSS7728N

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3