2SJ649-AZ
Framleiðandi Vöru númer:

2SJ649-AZ

Product Overview

Framleiðandi:

Renesas Electronics Corporation

Völu númer:

2SJ649-AZ-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Birgðir:

12855075
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

2SJ649-AZ Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1900 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 25W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Isolated Tab
Pakki / hulstur
TO-220-3 Isolated Tab
Grunnvörunúmer
2SJ649

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
25

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IXTP28P065T
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTP28P065T-DG
Einingaverð
1.56
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
renesas-electronics-america

RJK6002DPD-00#J2

MOSFET N-CH 600V 2A MP3A

renesas-electronics-america

UPA2820T1S-E2-AT

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

onsemi

RFD14N05L

MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

renesas-electronics-america

RJK6002DPD-WS#J2

MOSFET N-CH 600V 2A MP3A