Framleiðandi Vöru númer:
PJQ1906_R1_00201
Product Overview
Framleiðandi:
Panjit International Inc.
Völu númer:
PJQ1906_R1_00201-DG
Lýsing:
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3
Birgðir:
13001715
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
PJQ1906_R1_00201 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
PANJIT
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
45 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
700mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DFN1006-3
Pakki / hulstur
3-UFDFN
Grunnvörunúmer
PJQ1906
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10,000
Önnur nöfn
3757-PJQ1906_R1_00201DKR
3757-PJQ1906_R1_00201TR
3757-PJQ1906_R1_00201CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
ICE30N60W
Superjunction MOSFET
G700P06H
MOSFET P-CH 60V 5A SOT-223
SIS112LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
