PJP60R190E_T0_00001

Framleiðandi Vöru númer:

PJP60R190E_T0_00001

Product Overview

Framleiðandi:

Panjit International Inc.

Völu númer:

PJP60R190E_T0_00001-DG

Lýsing:

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta), 231W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

RFQ á netinu

12972149

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

PJP60R190E_T0_00001 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

PANJIT

Pakkning

Tube

Röð

-

Staða vöru

Not For New Designs

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

600 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2.1A (Ta), 20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

196mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

62 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1421 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2W (Ta), 231W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-220AB

Pakki / hulstur

TO-220-3

Grunnvörunúmer

PJP60R

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

50

Önnur nöfn

3757-PJP60R190E_T0_00001

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

panjit

PJQ4404P-AU_R2_000A1

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

FDN5630-G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

panjit

PJQ5444-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD25N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M