PJP12NA60_T0_00001
Framleiðandi Vöru númer:

PJP12NA60_T0_00001

Product Overview

Framleiðandi:

Panjit International Inc.

Völu númer:

PJP12NA60_T0_00001-DG

Lýsing:

600V N-CHANNEL MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 225W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

12997396
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

PJP12NA60_T0_00001 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
PANJIT
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1492 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
225W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
PJP12

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
3757-PJP12NA60_T0_00001CT-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001TR
3757-PJP12NA60_T0_00001TR-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001
3757-PJP12NA60_T0_00001CT
3757-PJP12NA60_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJP12NA60_T0_00001CTINACTIVE

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHB055N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

littelfuse

IXTH60N20X4

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

vishay-siliconix

SIDR402EP-T1-RE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHK055N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1