PJD4NA90_L2_00001
Framleiðandi Vöru númer:

PJD4NA90_L2_00001

Product Overview

Framleiðandi:

Panjit International Inc.

Völu númer:

PJD4NA90_L2_00001-DG

Lýsing:

900V N-CHANNEL MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 4A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount TO-252

Birgðir:

12974186
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

PJD4NA90_L2_00001 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
PANJIT
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
710 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
90W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
PJD4NA90

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
3757-PJD4NA90_L2_00001DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIR584DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

panjit

PJMF280N65E1_T0_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

onsemi

NVTFWS015P03P8ZTAG

PT8P PORTFOLIO EXPANSION

onsemi

NTTFS4C025NTAG

NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH