Framleiðandi Vöru númer:
PJD4NA65_R2_00001
Product Overview
Framleiðandi:
Panjit International Inc.
Völu númer:
PJD4NA65_R2_00001-DG
Lýsing:
650V N-CHANNEL MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 4A (Ta) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12971470
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
PJD4NA65_R2_00001 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
PANJIT
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
463 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
PJD4NA65
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
3757-PJD4NA65_R2_00001DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFC5305B
MOSFET 55V 31A DIE
PJS6461_S1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW1NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
