PJD2NA60_R2_00001
Framleiðandi Vöru númer:

PJD2NA60_R2_00001

Product Overview

Framleiðandi:

Panjit International Inc.

Völu númer:

PJD2NA60_R2_00001-DG

Lýsing:

600V N-CHANNEL MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 2A (Ta) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

12972583
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

PJD2NA60_R2_00001 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
PANJIT
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
257 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
PJD2N

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
3757-PJD2NA60_R2_00001DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
panjit

PJQ4464AP_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5425_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

IRFR420TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK