Framleiðandi Vöru númer:
SSR1N60BTM-WS
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
SSR1N60BTM-WS-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12843016
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SSR1N60BTM-WS Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
215 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SSR1N60
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
2166-SSR1N60BTM-WS-488
SSR1N60BTM_WS
SSR1N60BTM_WS-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXTY1N80P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTY1N80P-DG
Einingaverð
1.67
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FQD5N60CTM
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
FQD5N60CTM-DG
Einingaverð
0.42
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FQD1N60CTM
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
1490
HLUTARNÁMR
FQD1N60CTM-DG
Einingaverð
0.25
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSC034N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
RFP14N05
MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3
SFR9024TM
MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK
