Framleiðandi Vöru númer:
NVH4L075N065SC1
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NVH4L075N065SC1-DG
Lýsing:
SIC MOS TO247-4L 650V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 148W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Birgðir:
450 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12979334
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NVH4L075N065SC1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+22V, -8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1196 pF @ 325 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
148W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-4L
Pakki / hulstur
TO-247-4
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
450
Önnur nöfn
488-NVH4L075N065SC1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN10H220LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
NVTFWS070N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
DMT35M4LFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
