NVH4L020N120SC1
Framleiðandi Vöru númer:

NVH4L020N120SC1

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

NVH4L020N120SC1-DG

Lýsing:

SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Birgðir:

862 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12938864
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

NVH4L020N120SC1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
102A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -15V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2943 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
510W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-4L
Pakki / hulstur
TO-247-4
Grunnvörunúmer
NVH4L020

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
NVH4L020N120SC1-DG
Gagnaplakks
NVH4L020N120SC1
Gagnablöð
NVH4L020N120SC1

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
488-NVH4L020N120SC1

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
onsemi

NTF2955PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

onsemi

NVMFS5C466NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN

onsemi

NVMTS1D2N08H

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW

vishay-siliconix

IRF630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB