Framleiðandi Vöru númer:
NTMS4872NR2G
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NTMS4872NR2G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 6A/10.2A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 6A (Ta), 10.2A (Tc) 820mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12856147
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NTMS4872NR2G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Ta), 10.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1700 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
820mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
NTMS48
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
ONSONSNTMS4872NR2G
2156-NTMS4872NR2G-ONTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN4800LSS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
22578
HLUTARNÁMR
DMN4800LSS-13-DG
Einingaverð
0.11
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMN3016LSS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
14193
HLUTARNÁMR
DMN3016LSS-13-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRF8113TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1665
HLUTARNÁMR
IRF8113TRPBF-DG
Einingaverð
0.27
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTB6412ANT4G
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
NVTFS5C478NLTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
NTS4172NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
