NTJD1155LT2G

Framleiðandi Vöru númer:

NTJD1155LT2G

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

NTJD1155LT2G-DG

Lýsing:

MOSFET N/P-CH 8V SC88

Mikilvægar upplýsingar:

Mosfet Array 8V 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Birgðir:

3140 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12939405

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

NTJD1155LT2G Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir

Framleiðandi

onsemi

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Stelling

N and P-Channel

FET eiginleiki

-

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

8V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

-

Rds á (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

-

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

-

Kraftur - hámark

400mW

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Pakki / hulstur

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Birgir tæki pakki

SC-88/SC70-6/SOT-363

Grunnvörunúmer

NTJD1155

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

NTJD1155LT2G-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

488-NTJD1155LT2GCT

488-NTJD1155LT2GTR

NTJD1155LT2G-DG

488-NTJD1155LT2GDKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SQ4940AEY-T1_BE3

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SQ3985EV-T1_BE3

MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP

vishay-siliconix

SQ4920EY-T1_BE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

MSCC60VRM45TAPG

MOSFET 600V 40A SP6-P