Framleiðandi Vöru númer:
NTH4L022N120M3S
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NTH4L022N120M3S-DG
Lýsing:
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Birgðir:
12968224
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NTH4L022N120M3S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 20mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
151 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+22V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3175 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
352W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-4L
Pakki / hulstur
TO-247-4
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
488-NTH4L022N120M3S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
G3R20MT12K
FRAMLEIÐANDI
GeneSiC Semiconductor
Fjöldi í boði
576
HLUTARNÁMR
G3R20MT12K-DG
Einingaverð
28.04
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
NVH4L022N120M3S
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
449
HLUTARNÁMR
NVH4L022N120M3S-DG
Einingaverð
37.67
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJ138ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
2SK1691-E
NCH 10V DRIVE SERIES
H5N2901FN-E
N-CHANNEL POWER MOSFET