Framleiðandi Vöru númer:
NTBG070N120M3S
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NTBG070N120M3S-DG
Lýsing:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 172W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Birgðir:
798 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13256013
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NTBG070N120M3S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 7mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+22V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1230 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
172W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK-7
Pakki / hulstur
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
488-NTBG070N120M3SCT
488-NTBG070N120M3SDKR
488-NTBG070N120M3STR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
NVBG070N120M3S
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
790
HLUTARNÁMR
NVBG070N120M3S-DG
Einingaverð
13.04
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTBLS1D7N10MCTXG
MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
NTHL030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
