Framleiðandi Vöru númer:
NTBG020N120SC1
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NTBG020N120SC1-DG
Lýsing:
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Birgðir:
756 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13275961
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NTBG020N120SC1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.6A (Ta), 98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -15V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2943 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.7W (Ta), 468W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK-7
Pakki / hulstur
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Grunnvörunúmer
NTBG020
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
488-NTBG020N120SC1CT
488-NTBG020N120SC1DKR
488-NTBG020N120SC1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
G3R30MT12J
FRAMLEIÐANDI
GeneSiC Semiconductor
Fjöldi í boði
68
HLUTARNÁMR
G3R30MT12J-DG
Einingaverð
20.78
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
NVBG020N120SC1
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
1578
HLUTARNÁMR
NVBG020N120SC1-DG
Einingaverð
61.25
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
NVMFS5C628NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
NTBLS0D7N06C
MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
NTHL060N090SC1
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
