IRLW630ATM
Framleiðandi Vöru númer:

IRLW630ATM

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

IRLW630ATM-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Birgðir:

12835849
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRLW630ATM Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
755 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IRLW63

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki
800

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IRF624SPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1814
HLUTARNÁMR
IRF624SPBF-DG
Einingaverð
0.81
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
RCJ120N20TL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
33
HLUTARNÁMR
RCJ120N20TL-DG
Einingaverð
0.44
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFU220PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2912
HLUTARNÁMR
IRFU220PBF-DG
Einingaverð
0.52
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
onsemi

2N7002KT1G

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

onsemi

FQPF6N80

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F

onsemi

FDD4685-F085P

MOSFET P-CH 40V 32A TO252

microchip-technology

MCP87055T-U/LC

MOSFET N-CH 25V 60A 8PDFN