HUF75531SK8T

Framleiðandi Vöru númer:

HUF75531SK8T

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

HUF75531SK8T-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 80 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Birgðir:

RFQ á netinu

12846785

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

HUF75531SK8T Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

onsemi

Pakkning

-

Röð

UltraFET™

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

80 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

82 nC @ 20 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1210 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.5W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

8-SOIC

Pakki / hulstur

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Grunnvörunúmer

HUF75

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,500

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

IRF7473TRPBF

FRAMLEIÐANDI

Infineon Technologies

Fjöldi í boði

6945

HLUTARNÁMR

IRF7473TRPBF-DG

Einingaverð

0.53

VÖRUVAL

Similar

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

IPB70N12S311ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

onsemi

FQP19N20

MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3

onsemi

FDS6690A

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

HUFA75639S3ST-F085A

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK