Framleiðandi Vöru númer:
FQPF7N65C_F105
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQPF7N65C_F105-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Birgðir:
12839854
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQPF7N65C_F105 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1245 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F-3
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
FQPF7
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
AOT8N80L
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
988
HLUTARNÁMR
AOT8N80L-DG
Einingaverð
0.64
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFP7N80PM
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFP7N80PM-DG
Einingaverð
4.60
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFP7N80P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
299
HLUTARNÁMR
IXFP7N80P-DG
Einingaverð
2.31
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STF6N65M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
300
HLUTARNÁMR
STF6N65M2-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STF5N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1963
HLUTARNÁMR
STF5N60M2-DG
Einingaverð
0.52
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDI150N10
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
NDB4050
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
FDD4243
MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK