Framleiðandi Vöru númer:
FQPF4N90
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQPF4N90-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Birgðir:
12930482
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQPF4N90 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
47W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F-3
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
FQPF4
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
2SK3798(STA4,Q,M)
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STP6NK90ZFP
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
875
HLUTARNÁMR
STP6NK90ZFP-DG
Einingaverð
1.43
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
2SK3566(STA4,Q,M)
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
386
HLUTARNÁMR
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
Einingaverð
0.55
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
AOL1432
MOSFET N-CH 25V 12A/44A ULTRASO8
NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
NTH4L027N65S3F
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
