FQP7N20
Framleiðandi Vöru númer:

FQP7N20

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FQP7N20-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 6.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3

Birgðir:

RFQ á netinu
12837135
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FQP7N20 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
63W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
FQP7

Aukainformation

Venjulegur pakki
50

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IRF630
FRAMLEIÐANDI
Harris Corporation
Fjöldi í boði
11535
HLUTARNÁMR
IRF630-DG
Einingaverð
0.80
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
RCX080N25
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
246
HLUTARNÁMR
RCX080N25-DG
Einingaverð
0.43
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
onsemi

FDD9410L-F085

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252

onsemi

IRFW540ATM

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

onsemi

FDS4675

MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

onsemi

FDMS7692A

MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8QFN