FQI5N80TU

Framleiðandi Vöru númer:

FQI5N80TU

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FQI5N80TU-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 800 V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Birgðir:

RFQ á netinu

12851145

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

FQI5N80TU Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

onsemi

Pakkning

-

Röð

QFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

800 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

4.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

33 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1250 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-262 (I2PAK)

Pakki / hulstur

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Grunnvörunúmer

FQI5

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki

1,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

onsemi

FQP5P20

MOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3

infineon-technologies

BSS806NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

onsemi

FDN342P

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

onsemi

CPH6443-P-TL-H

MOSFET N-CH 35V 6A CPH6