Framleiðandi Vöru númer:
FQI10N60CTU
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQI10N60CTU-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Birgðir:
12850520
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQI10N60CTU Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2040 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
FQI1
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
AOW11N60
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
773
HLUTARNÁMR
AOW11N60-DG
Einingaverð
0.82
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFSL9N60APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
900
HLUTARNÁMR
IRFSL9N60APBF-DG
Einingaverð
1.21
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
FQD12N20LTF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FCP190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
