FQD9N25TM-SBEK002
Framleiðandi Vöru númer:

FQD9N25TM-SBEK002

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FQD9N25TM-SBEK002-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

12992676
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FQD9N25TM-SBEK002 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
488-FQD9N25TM-SBEK002TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
FQD9N25TM-F085
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
FQD9N25TM-F085-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
diodes

DMP22D5UFZ-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-

diodes

DMN2992UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMP3011SPSW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506

diodes

DMT8007LPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50