Framleiðandi Vöru númer:
FQD4N20LTM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQD4N20LTM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 3.2A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12836574
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQD4N20LTM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
FQD4
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFR224PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2372
HLUTARNÁMR
IRFR224PBF-DG
Einingaverð
0.55
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
2SK4116LS
MOSFET N-CH 400V 8.9A TO220FI
FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
