Framleiðandi Vöru númer:
FQD2N60CTM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQD2N60CTM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12934284
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQD2N60CTM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 950mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
235 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
FQD2N60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
FQD2N60CTMTR
FQD2N60CTMDKR
FQD2N60CTMCT
FQD2N60CTM-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
DIGI vottun
Tengdar vörur
2SK3234-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFAG20
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
2SK1847-TB-E
NCH 4V DRIVE SERIES
