Framleiðandi Vöru númer:
FQD12N20LTM-F085P
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQD12N20LTM-F085P-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
1135 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12846840
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQD12N20LTM-F085P Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
FQD12N20
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
488-FQD12N20LTM-F085PCT
488-FQD12N20LTM-F085PTR
488-FQD12N20LTM-F085PDKR
FQD12N20LTM-F085P-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FQD12N20LTM
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
4955
HLUTARNÁMR
FQD12N20LTM-DG
Einingaverð
0.27
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
FQD12N20LTM-F085
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
10000
HLUTARNÁMR
FQD12N20LTM-F085-DG
Einingaverð
0.43
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQU3N60TU
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
FDPF51N25YDTU
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
FDD8896
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
