Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Lýðveldið Kongó
Argentína
Tyrkland
Rúmenía
Litháen
Noregur
Austurríki
Angóla
Slóvakía
LTALY
Finnland
Hvíta Rússland
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Svartfjallaland
Rússneska
Belgía
Svíþjóð
Serbía
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Moldóva
Þýskaland
Holland
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Frakkland
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Portúgal
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Spánn
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
FQB6N80TM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQB6N80TM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
RFQ á netinu
12835885
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQB6N80TM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FQB6N80
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
FQB6N80TM-DG
Gagnaplakks
FQB6N80TM
Gagnablöð
FQB6N80
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
FQB6N80TM-DG
FQB6N80TMTR
FQB6N80TMDKR
FQB6N80TMCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB7NK80ZT4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
4410
HLUTARNÁMR
STB7NK80ZT4-DG
Einingaverð
1.21
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STB9NK80Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STB9NK80Z-DG
Einingaverð
0.92
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STB6NK90ZT4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STB6NK90ZT4-DG
Einingaverð
1.32
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FQB4N80TM
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
720
HLUTARNÁMR
FQB4N80TM-DG
Einingaverð
0.90
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
2SK4198LS
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
2V7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
2SK3747
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PML