Framleiðandi Vöru númer:
FQB6N60TM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQB6N60TM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12839168
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQB6N60TM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FQB6
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB8NM60D
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2874
HLUTARNÁMR
STB8NM60D-DG
Einingaverð
0.83
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFBC30ASTRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
579
HLUTARNÁMR
IRFBC30ASTRLPBF-DG
Einingaverð
1.26
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STB4NK60ZT4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
4369
HLUTARNÁMR
STB4NK60ZT4-DG
Einingaverð
0.77
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDD6778A
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
