FQB6N25TM
Framleiðandi Vöru númer:

FQB6N25TM

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FQB6N25TM-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 5.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

12836814
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FQB6N25TM Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FQB6

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki
800

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IRF540NSTRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
7309
HLUTARNÁMR
IRF540NSTRLPBF-DG
Einingaverð
0.52
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
onsemi

FDS86252

MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC

infineon-technologies

BSL202SNH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6

onsemi

FDW262P

MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP

onsemi

FQPF16N25C

MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F