Framleiðandi Vöru númer:
FQB5N60CTM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQB5N60CTM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12849297
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQB5N60CTM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FQB5
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFBC30SPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IRFBC30SPBF-DG
Einingaverð
1.41
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STB4NK60ZT4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
4369
HLUTARNÁMR
STB4NK60ZT4-DG
Einingaverð
0.77
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
