FQB4N50TM

Framleiðandi Vöru númer:

FQB4N50TM

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FQB4N50TM-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 500 V 3.4A (Tc) 3.13W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

RFQ á netinu

12839320

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

FQB4N50TM Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

onsemi

Pakkning

-

Röð

QFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

500 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

3.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

460 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.13W (Ta), 70W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

TO-263 (D2PAK)

Pakki / hulstur

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grunnvörunúmer

FQB4

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki

800

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

IRF820STRRPBF

FRAMLEIÐANDI

Vishay Siliconix

Fjöldi í boði

1546

HLUTARNÁMR

IRF820STRRPBF-DG

Einingaverð

0.73

VÖRUVAL

Similar

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

onsemi

FDP2D3N10C

MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

FDC2612_F095

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

onsemi

FDT86246L

MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4

onsemi

FDD86369-F085

MOSFET N-CH 80V 90A DPAK