Framleiðandi Vöru númer:
FQB3P50TM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQB3P50TM-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 500 V 2.7A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12840174
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQB3P50TM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
660 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FQB3
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF5210STRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
7933
HLUTARNÁMR
IRF5210STRLPBF-DG
Einingaverð
1.26
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDG328P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
FDMC610P
MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
FDMC012N03
MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
