Framleiðandi Vöru númer:
FQB2N50TM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQB2N50TM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 2.1A (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12849791
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQB2N50TM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 55W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FQB2
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFI820GPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IRFI820GPBF-DG
Einingaverð
1.06
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRF540NSTRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
7309
HLUTARNÁMR
IRF540NSTRLPBF-DG
Einingaverð
0.52
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTA08N50D2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
260
HLUTARNÁMR
IXTA08N50D2-DG
Einingaverð
1.25
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
