Framleiðandi Vöru númer:
FQA9N90-F109
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQA9N90-F109-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Birgðir:
12930668
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQA9N90-F109 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
240W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3PN
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
FQA9
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
450
Önnur nöfn
2832-FQA9N90-F109-488
2156-FQA9N90-F109-OS
FQA9N90_F109
ONSONSFQA9N90-F109
FQA9N90_F109-DG
2832-FQA9N90-F109
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
2SK1317-E
FRAMLEIÐANDI
Renesas Electronics Corporation
Fjöldi í boði
5608
HLUTARNÁMR
2SK1317-E-DG
Einingaverð
3.29
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FCA16N60N
MOSFET N-CH 600V TO-3PN
NVMFS5C680NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF6N90C
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
