Framleiðandi Vöru númer:
FQA90N10V2
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQA90N10V2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 105A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3P
Birgðir:
12850229
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQA90N10V2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
105A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 52.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
191 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6150 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
330W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
FQA9
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFP4310ZPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1902
HLUTARNÁMR
IRFP4310ZPBF-DG
Einingaverð
2.10
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
2SK1317-E
FRAMLEIÐANDI
Renesas Electronics Corporation
Fjöldi í boði
5608
HLUTARNÁMR
2SK1317-E-DG
Einingaverð
3.29
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
