Framleiðandi Vöru númer:
FQA33N10L
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FQA33N10L-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Birgðir:
12846826
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQA33N10L Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
QFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1630 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
163W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
FQA3
Aukainformation
Venjulegur pakki
450
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
2SK1317-E
FRAMLEIÐANDI
Renesas Electronics Corporation
Fjöldi í boði
5608
HLUTARNÁMR
2SK1317-E-DG
Einingaverð
3.29
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDN372S
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
NTD4959NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK
FCP13N60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
