Framleiðandi Vöru númer:
FDS8878
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDS8878-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
3799 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12836289
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDS8878 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
897 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
FDS88
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
FDS8878DKR
FDS8878-DG
FDS8878TR
FDS8878CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQB8N60CFTM
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
FDC8886
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
HUF76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
