Framleiðandi Vöru númer:
FDS6900AS-G
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDS6900AS-G-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 6.9A, 8.2A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12959306
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDS6900AS-G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®, SyncFET™
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.9A, 8.2A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
600pF @ 15V
Kraftur - hámark
900mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Grunnvörunúmer
FDS69
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
488-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-G-488
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO
