Framleiðandi Vöru númer:
FDS3680
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDS3680-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 5.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12837209
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDS3680 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1735 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
FDS36
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4100DY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
7295
HLUTARNÁMR
SI4100DY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.43
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
FDMS7578
MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN
