Framleiðandi Vöru númer:
FDP8880
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDP8880-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
12837621
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDP8880 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1240 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
55W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
FDP88
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
FDP8880FS
FDP8880-DG
2166-FDP8880-488
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
PSMN4R3-30PL,127
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
4699
HLUTARNÁMR
PSMN4R3-30PL,127-DG
Einingaverð
0.72
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
PSMN2R0-30PL,127
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
9215
HLUTARNÁMR
PSMN2R0-30PL,127-DG
Einingaverð
1.11
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRLB8721PBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
18825
HLUTARNÁMR
IRLB8721PBF-DG
Einingaverð
0.36
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDD8580
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
HUFA75309D3
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
FDMC15N06
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
