FDP10N60NZ
Framleiðandi Vöru númer:

FDP10N60NZ

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FDP10N60NZ-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3

Birgðir:

12838468
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDP10N60NZ Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
UniFET-II™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1475 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
185W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
FDP10

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IXTP4N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
232
HLUTARNÁMR
IXTP4N65X2-DG
Einingaverð
1.12
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STP9N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
20
HLUTARNÁMR
STP9N60M2-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
AOT10N60
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
769
HLUTARNÁMR
AOT10N60-DG
Einingaverð
0.60
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
onsemi

FQP5N50C

MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3

onsemi

FCPF190N60-F152

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

infineon-technologies

BSC070N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 80A TDSON

onsemi

FQA19N20L

MOSFET N-CH 200V 25A TO3P