FDP045N10A-F032
Framleiðandi Vöru númer:

FDP045N10A-F032

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FDP045N10A-F032-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220

Birgðir:

12972969
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDP045N10A-F032 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
263W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
488-FDP045N10A-F032

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
FDP4D5N10C
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
670
HLUTARNÁMR
FDP4D5N10C-DG
Einingaverð
2.68
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
nxp-semiconductors

PSMN2R0-60ES,127

NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60

panjit

PJS6404_S1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJS6407_S1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nexperia

PSMN1R5-50YLHX

PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS