FDP027N08B-F102
Framleiðandi Vöru númer:

FDP027N08B-F102

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FDP027N08B-F102-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3

Birgðir:

740 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12849985
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDP027N08B-F102 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13530 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
246W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
FDP027

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
FDP027N08B_F102
FDP027N08B_F102-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPC60N04S4L06ATMA1

MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23

alpha-and-omega-semiconductor

AO4459L

MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SO

onsemi

FDB088N08

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF380A60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F