FDMS8050ET30

Framleiðandi Vöru númer:

FDMS8050ET30

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FDMS8050ET30-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 30 V 55A (Ta), 423A (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Birgðir:

5707 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12847689

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

FDMS8050ET30 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

onsemi

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

PowerTrench®

Staða vöru

Not For New Designs

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

55A (Ta), 423A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

0.65mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 750µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

285 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

22610 pF @ 15 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.3W (Ta), 180W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

8-PQFN (5x6)

Pakki / hulstur

8-PowerTDFN

Grunnvörunúmer

FDMS8050

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

FDMS8050ET30-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

FDMS8050ET30CT

FDMS8050ET30DKR

FDMS8050ET30TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPAN80R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31

onsemi

MCH3477-TL-E

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70

onsemi

FDD5670

MOSFET N-CH 60V 52A TO252

infineon-technologies

BSS192PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89