FDMS3660AS

Framleiðandi Vöru númer:

FDMS3660AS

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FDMS3660AS-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56

Mikilvægar upplýsingar:

Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56

Birgðir:

RFQ á netinu

12839805

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

FDMS3660AS Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir

Framleiðandi

onsemi

Pakkning

-

Röð

PowerTrench®

Staða vöru

Obsolete

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Stelling

2 N-Channel (Dual)

FET eiginleiki

Logic Level Gate

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

13A, 30A

Rds á (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

30nC @ 10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

2230pF @ 15V

Kraftur - hámark

1W

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Pakki / hulstur

8-PowerTDFN

Birgir tæki pakki

Power56

Grunnvörunúmer

FDMS3660

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

FDMS3660ASDKR

FDMS3660ASCT

2832-FDMS3660ASTR

FDMS3660ASTR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

NTMFD4C20NT1G

FRAMLEIÐANDI

onsemi

Fjöldi í boði

3

HLUTARNÁMR

NTMFD4C20NT1G-DG

Einingaverð

1.94

VÖRUVAL

Similar

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

onsemi

FDME1023PZT

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

EFC6618R-A-TF

MOSFET 2N-CH EFCP

onsemi

ECH8619-TL-E

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH

onsemi

FDMJ1023PZ

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75