Framleiðandi Vöru númer:
FDI045N10A
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDI045N10A-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Birgðir:
12846600
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDI045N10A Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
263W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
FDI045
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDI045N10A-F102
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
475
HLUTARNÁMR
FDI045N10A-F102-DG
Einingaverð
1.84
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
IPI045N10N3GXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
894
HLUTARNÁMR
IPI045N10N3GXKSA1-DG
Einingaverð
1.32
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
AOTF290L
MOSFET N-CH 100V 72A TO220F
AO3420L
MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23-3
FDMS0309AS_SN00347
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
