Framleiðandi Vöru númer:
FDG6306P
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDG6306P-DG
Lýsing:
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Birgðir:
30 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12847995
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDG6306P Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 P-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
600mA
Rds á (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
114pF @ 10V
Kraftur - hámark
300mW
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Birgir tæki pakki
SC-88 (SC-70-6)
Grunnvörunúmer
FDG6306
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
FDG6306P-DG
ONSONSFDG6306P
FDG6306PTR
FDG6306PCT
FDG6306PDKR
2156-FDG6306P-OS
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
NTJD4152PT1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
15411
HLUTARNÁMR
NTJD4152PT1G-DG
Einingaverð
0.10
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
NVMFD5877NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
FDMD86100
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
