Framleiðandi Vöru númer:
FDFS2P753AZ
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDFS2P753AZ-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12847471
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDFS2P753AZ Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
455 pF @ 15 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Isolated)
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
FDFS2
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
FDFS2P753AZDKR
FDFS2P753AZCT
FDFS2P753AZTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDC658AP
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
915
HLUTARNÁMR
FDC658AP-DG
Einingaverð
0.16
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTMS4503NR2G
MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
FQP6N80
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
FDD20AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA